
凭借其获得专利的4区单晶圆腔室,可实现高精度、可调的工艺控制,且行业领先的产能超过每小时60片晶圆,YESVeroThermTMFAR系统为先进封装回流应用带来了革命性变化。
成熟的子系统与YES公司四十年的真空技术专长相结合,形成这套低维护、小占地系统,可节省地面空间、化学品消耗、生产时间以及总体拥有成本。
》行业最佳回流性能,可扩展至低于55微米(低至12微米)的凸点间距,适用于多基板芯片堆叠
》低真空技术实现无吸水回流,适用于高纵横比(>75%回流凸点高度/直径)的晶圆和芯片位置上的凸点。
》设计用于减少每片晶圆的甲酸使用量,并防止晶圆腔体内形成盐分,从而避免晶圆表面污染。
》通过利用对流氮气冷却和辐射,防止热冲击导致晶圆破裂
》高吞吐量和低Co0。
》节省空间,占地面积小于6平方米
最佳回流性能
行业最佳回流性能,采用专利四区单晶圆腔体设计。
高产量,无空洞、高质量的底层填充和凸点自对准性能,适用于不同尺寸比(高度/直径)的凸点。
晶圆旋转可实现优异的温度均匀性(士1%),
用户友好的图形界面,符合SECS/GEM标准,以及OSHA标准的甲酸安全系统
实现了高长宽比的回流焊凸点H/D(>75%)
高吞吐量
适用于新兴应用和成熟凸点技术的>55WPH
双工艺模块化架构,实现高吞吐量并具备精确的单晶圆工艺控制
通过Z轴升降实现快速加热和冷却,以控制加热区与冷却区之间的移动
10°C/秒的加热速率和快速过渡到焊球和铜柱固化的特性
低成本拥有
通过将在线工艺替换为垂直加工,实现最小占地面积(小于6平方米)
由于采用单晶片真空工艺,维护成本低且快速认证
10升单晶片腔室和基于真空的工艺,实现高效化学利用
设计旨在最小化甲酸盐问题并实现FEOL颗粒性能
与行业同行相比,每片晶圆的甲酸使用量减少350倍
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