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YES VeroTherm FAR XP全自动真空甲酸回流炉
YES VeroTherm FAR XP全自动真空甲酸回流炉
YES VeroTherm FAR XP全自动真空甲酸回流炉
YES VeroTherm FAR XP全自动真空甲酸回流炉

产品概述

凭借其获得专利的4区单晶圆腔室,可实现高精度、可调的工艺控制,且行业领先的产能超过每小时60片晶圆,YESVeroThermTMFAR系统为先进封装回流应用带来了革命性变化。

成熟的子系统与YES公司四十年的真空技术专长相结合,形成这套低维护、小占地系统,可节省地面空间、化学品消耗、生产时间以及总体拥有成本。


》行业最佳回流性能,可扩展至低于55微米(低至12微米)的凸点间距,适用于多基板芯片堆叠

》低真空技术实现无吸水回流,适用于高纵横比(>75%回流凸点高度/直径)的晶圆和芯片位置上的凸点。

》设计用于减少每片晶圆的甲酸使用量,并防止晶圆腔体内形成盐分,从而避免晶圆表面污染。

》通过利用对流氮气冷却和辐射,防止热冲击导致晶圆破裂

》高吞吐量和低Co0。

》节省空间,占地面积小于6平方米

技术参数

最佳回流性能

  • 行业最佳回流性能,采用专利四区单晶圆腔体设计。

  • 高产量,无空洞、高质量的底层填充和凸点自对准性能,适用于不同尺寸比(高度/直径)的凸点。

  • 晶圆旋转可实现优异的温度均匀性(士1%),

  • 用户友好的图形界面,符合SECS/GEM标准,以及OSHA标准的甲酸安全系统

  • 实现了高长宽比的回流焊凸点H/D(>75%)

高吞吐量

  • 适用于新兴应用和成熟凸点技术的>55WPH

  • 双工艺模块化架构,实现高吞吐量并具备精确的单晶圆工艺控制

  • 通过Z轴升降实现快速加热和冷却,以控制加热区与冷却区之间的移动

  • 10°C/秒的加热速率和快速过渡到焊球和铜柱固化的特性

低成本拥有

  • 通过将在线工艺替换为垂直加工,实现最小占地面积(小于6平方米)

  • 由于采用单晶片真空工艺,维护成本低且快速认证

  • 10升单晶片腔室和基于真空的工艺,实现高效化学利用

  • 设计旨在最小化甲酸盐问题并实现FEOL颗粒性能

  • 与行业同行相比,每片晶圆的甲酸使用量减少350倍

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