YES-CV200RFS 等离子剥离 /抛光系统

硬件

洁净室兼容性：10级 

晶圆温度范围：环境温度至250°C

容量：单片/片为50mm-200mm； 

两片晶圆/两片100mm 

氮气流量：1.7 SCFM 

工艺气体流量：平均20-50 SCCM 

工艺气体输入：4标准 

质量流量控制器：可选，最多4个用于气体混合 

内部腔室尺寸：25.4厘米（宽）x 28.575厘米（深）x 4.978厘米（高）—（10“ x 11.25” x 1.96“） 

热板处理面积：最大49 in2（200mm晶圆） 

系统整体尺寸：60.96厘米（宽）x 109.3厘米，门打开（深）x 114.3厘米（高）—（24“ x 43” x 45“） 

箱体材质：6061-T6铝 

符合标准：SEMI S2，CE，S8

软件

工具控制：PLC控制阀门，温度设定点，等离子产生功率，自动操作，触摸屏界面 

配方数：12个，具有加载/保存/循环/链接功能 

曝光时间范围：0-1200秒（20分钟） 

定时器设置分辨率：1秒

性能

射频等离子体功率：40 kHz，100 – 1000 W电容，下游 

过程压力测量：对流型压力传感器，0.1 mTorr至1000 Torr（压力测量对过程气体成分敏感） 

排放气体消耗量：闲置0 SCF，提前1.0 SCF，平均.44 SCF 

反应气消耗量：闲置0 SCF，先前和每年为4.2 x 10-3 

发热：平均920瓦 

泵功率：空载420W，先前2100W，平均1210W 

生产量：每分钟1个切片（最大直径200mm），通常每个晶片90秒

剥离速度：每分钟高达7,000埃 

电子位移：<10mV在200A氧化物氧化物等离子体强度下的电子位移 

均匀度（在晶圆中）：<10％ 

冷却：处理室通过强制对流冷却

配件

电源要求：200-250V，20 A，50/60 Hz，1相 

电源：自动频率调谐 

系统重量：147.42公斤（325磅）