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YES–G1000对于清洁,剥离和表面改性,等离子体是有毒化学物质的有效替代品,并且在表面上没有残留溶剂。 副产物是惰性的并且对环境安全。 G1000的工作频率为13.56MHz,用户可以从5种等离子模式中进行选择。 各向异性模式包括RIE和有源离子阱; 各向同性模式包括下游(无电子),有源和下游离子阱。
•13.56 MHz的射频等离子体
•低压环境
•下游侵蚀性等离子体
•温度监控器
•3个气体输入
•气体输入可包含更多深奥气体,例如合成气,CF4和SF6
应用
·焊线清洗
·封装清洁
·倒装芯片底部填充清洁
·去除污染物
·出色的均匀性和出色的控制
特点
·温和的分子水平清洁
·清洁、可重复的过程
·无溶剂残留
·安全可靠的能源
硬件
洁净室兼容性:10级
工作温度:最高145°C
氮气流量:1.7 SCFM
工艺气体流量:平均20-50 SCCM
内部腔室尺寸:45.72 CM(W)X 45.72 CM(D)X 30.48 CM(H)—(18” x 18” x 12”)
腔室处理区:共12个托盘; 13个托盘插槽,用于灵活配置— 15英寸x 15英寸架子尺寸的托盘,用于不同的处理模式(活动,接地和浮动)—标准
配置:4个活动,4个接地,4个浮动
系统整体尺寸:59.69厘米(宽)x 71.12厘米(深)x 113.284厘米(高)—(23.5“ x 28” x 44.6“)
箱体材质:6061-T6铝
工艺气体输入:3个标准,第4个可选
质量流量控制器:可选,最多3个用于气体混合 符合SEMI™:S2 / S8
软件
配方数:12个,具有加载/保存/循环/链接功能
曝光时间范围:0-1200秒(20分钟)
定时器设置分辨率:1秒
性能
射频等离子功率:550 VAC时为0-1000瓦,可选功率
射频漏磁:0.6 mA / m,4.15 x 10-7 A2 / m2平均
射频泄漏电气:平均1.6 V / m,4.2 V2 / m2
耗氮量:闲置0 SCF,峰值6.8 SCF,平均1.7 SCF
功耗(带泵):闲置375W,峰值1000W,平均640W
反应气消耗量:闲置0 SCF,20-50 SCCM
散热:平均920瓦
配件
电源要求:208-230V,20安培,50/60 Hz,1相
系统重量:158.76公斤(350磅)
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